全球声学滤波器技术发展趋势

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一、TC-SAW

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对于声表面波器件来说，对温度非常敏感。在较高温度下，衬底材料的硬度易于下降，声波速度也因此下降。由于保护频带越来越窄，并且消费设备的指定工作温度范围较大（通常为-20℃至85℃），因此这种局限性的影响越来越严重。
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一种替代方法是使用温度补偿（TC-SAW）滤波器，它是在IDT的结构上另涂覆一层在温度升高时刚度会加强的涂层。温度未补偿SAW器件的频率温度系数（TCF）通常约为-45ppm/℃，而TC-SAW滤波器则降至-15到-25ppm/℃。但由于温度补偿工艺需要加倍的掩模层，所以，TC-SAW滤波器更复杂、制造成本也相对更高。

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目前TC-SAW技术越来越成熟，国外大厂基本都有推出相应产品，在手机射频前端取得不少应用，而国内的工艺仍需要摸索。


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$ @0 q  v# U6 m  U) Q! u二、高频SAW
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普通SAW基本上是2GHz以下，村田开发出克服以往声表面波弱点的 I.H.P.SAW（Incredible High Performance-SAW）。村田意将SAW技术发挥到极致（4GHz以下），目前量产的频率可达3.5GHz。


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图I.H.P.SAW的基本结构
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- e* X- m2 L7 D4 }+ fI.H.P.SAW可以实现与BAW相同或高于BAW的特性，并兼具了BAW的温度特性、高散热性的优点，具体如下：
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（1） 高Q值 ：在1.9GHz频带上的谐振器试制结果显示，其Q值特性的峰值超过了3000，比以往Qmax为1000左右的SAW得到了大幅度的改善。


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（2）低TCF：它通过同时控制线膨胀系数和声速来实现良好的温度特性。以往SAW的TCF转换量非常大（约为-40ppm/℃），而 I.H.P.SAW可将其改善至±8ppm/℃以下。
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（3）高散热性：向RF滤波器输入大功率信号后IDT会产生热量，输入更大功率则可能因IDT发热而破坏电极，从而导致故障。 I.H.P.SAW可将电极产生的热量高效地从基板一侧散发出去，可将通电时的温度上升幅度降至以往SAW的一半以下。低TCF和高散热性两种效果，使其在高温下也能稳定工作。
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三、新型体声波滤波器
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( f( @: ^  e: b4 _+ q目前市面上的体声波滤波器基本上基于多晶薄膜工艺。而初创公司Akoustis Technologies, Inc.发明的Bulk ONE? BAW技术是采用单晶AlN-on-SiC谐振器，据称性能能够提升30%。

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$ ?$ \1 c$ s1 s( j6 R4 Q- S/ g图单晶硅BAW技术针对高频应用

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Akoustis技术公司(前称为Danlax,Corp.)是根据美国内华达州法律于2013年4月10日注册成立，总部设在北卡罗来纳州的亨茨维尔。2015年4月15日，公司更名为Akoustis技术公司。2017年3月，登陆纳斯达克。
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目前Akoustis已经宣布推出了三款商用滤波器产品：第一款是用于三频WiFi路由器应用的商用5.2 GHz BAW RF滤波器；第二款是针对雷达应用的3.8 GHz BAW RF滤波器；第三款AKF -1652是针对未来4G LTE和5G移动设备5.2 GHz BAW RF滤波器

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) y9 @$ F& N, m+ B1 f7 k" a四、封装微型化
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, g- p+ \( g% j! q5 R滤波器的封装微型化主要是指的是采用晶圆级封装技术。
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$ d& A+ J" n$ }* n1 U2 T$ C0 zQorvo的CuFlig互联技术使用铜柱凸点代替线焊。晶圆级封装滤波器取消了陶瓷封装，可以实现尺寸更小，设备更轻薄。
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, y: {2 }) S) D图CuFlip技术相对于线焊的比较优势
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7 s: p) t* {4 x3 V! oRF360公司DSSP（Die-Sized SAW Packaging，裸片级声表封装）和TFAP技术（Thin-Film Acoustic Packaging，薄膜声学封装技术)，实现了产品微型化，并可提供2in1，甚至4in1的滤波器模组。
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不同产品类别的新的标准封装尺寸：双工器1.8mm*1.4mm，2in1滤波器：1.5mm*1.1mm，单一滤波器：1.1mm*0.9mm。
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8 G, i# m& n$ ^图RF360声表滤波器、双工器和多工器的微型化



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图 DSSP封装图解
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图  采用TFAP技术的BAW滤波器

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; M8 L8 F- J  H5 f' Q五、射频前端集成化模块化

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9 Z+ w& M8 d5 n7 p国际大厂一直致力于射频前端的集成化及模块化，比如高通RF360方案；Murata将滤波器、RF开关、匹配电路等一体化的模块；Qorvo RF Fusion解决方案等。


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7 M$ \& [. _' g" _2 |$ m高通POP3D设计采用先进的3D封装技术，单一封装内集成了单芯片多模功率放大器和天线开关（AS），并将滤波器和双工器集成到一个单一基底中，然后将基底置于基础组件之上，整合成一个单一的“3D”芯片组组合，从而降低了整体的复杂性，摒弃了当今射频前端模块中常见的引线接合。
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( O- u( l! G2 J: r" s图高通射频POP 3D设计CMOS前端


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Qorvo RFFusion解决方案包含三种模块化解决方案，实现高、中、低频段频谱区域全覆盖。各模块都集成了功率放大器 (PA)、开关和滤波器。
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& t* C7 c! b3 s  `图 Qorvo 多模块组成的 2017 RF Fusion解决方案

音频应用

厉害，欣赏支持！

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