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N 通道增强型功率 MOSFET
* C5 v. r" r1 _1 Z1 P' o7 W q" @
7 v$ C" K7 n2 l$ J
5 `& M2 R, ]9 s0 G! Q, d- b描述% ^; Y* b, {# F. o
TF3622 使用先进的沟槽技术提供合适的 RDS(ON)、低栅极电荷和低至 2.5V 的栅极电压操作。 该设备适合用作电池保护或其他开关应用。' h8 C& h( l3 q4 l
TF3622一般特点
; v4 d' _1 A5 n8 g4 h' f● VDS =30V,ID =25A
8 P# |8 Y4 {. Y) v/ H+ ^RDS(ON) =12mΩ @ VGS=10V
# m8 ?8 b: j# ]- S, ?. c% pRDS(ON) =16mΩ @ VGS=4.5V% E7 G+ I; r! A# C0 e
● 高功率和电流处理能力" V( e# L, @! ~7 z
● 获得无铅产品+ `- ~8 }+ ^$ C8 }
● 表面贴装封装( D% h% x- @/ {2 }) U, b
0 v' J* c" `$ P& R( j$ i. X
& _" b i( j. D' i" ?/ N' K) L应用( }- D) B8 B1 B
●电池开关. l, Z- X) p1 O- D
●DC/DC转换器' g$ ~4 c, x1 R5 _( e$ G# P
$ e# v2 [$ E5 I+ J7 r3 u: O. u1 N7 ]- P3 [
TF3622原理图, f2 s& m7 k4 t7 X" p
5 S: t7 |9 I( J* J' P: KTF3622封装图
3 L. k' ]2 P, b
& w! h9 c% l+ p: M# U3 B9 jTF3622绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）
' j, J2 x0 O. z * H$ \+ d h: F" G# f- t2 _
TF3622 热特性
+ W0 s* [8 p$ r% i/ V+ W
' R" A0 R5 E4 N6 s0 q5 u8 HTF3622电气特性（TA=25℃，除非另有说明）
. k% C: \* V4 L) }# [: i ; Y; Q6 ], n& y; ]
" w$ B! B' {$ `" I# X$ q其他特性：" y g) K# @9 d; p* c: r0 v" E/ z% G
1 F2 d/ X, f4 `) _! F, L" h
: |- `# ]* S0 B8 i1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制。
$ s1 P h* W |$ V4 f7 }5 X) m* c# I5 R' e
" {9 j0 h7 O6 h8 z
2.表面安装在FR4板上，t≤ 10秒。
G3 P9 Y: O/ Y9 K6 ]& P/ ~
3 w. n% g0 {- B7 Q- n( `% }/ N" @3 t. F$ k5 ~' b3 n3 E$ U$ p! C- _# X
3.脉冲测试：脉冲宽度≤ 300μs，占空比≤ 2%.
, V0 j6 y! l" t% X, O1 J
9 c5 B5 B) z/ C- s' e x
) e1 ?; n3 J2 z! S, g W4.设计保证，不以生产为准0 q* H; G$ K% e; @% h
6 H% {1 i+ g+ O c" W2 u& d
( g$ T2 s5 C' N* H |
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发表于 2021-12-23 14:09:43