|
|
N 通道增强型功率 MOSFET
u8 d# ]/ X' K3 y4 G9 B( k! P& N5 X3 t! H* m. X) ~0 L# u
$ [ {) q! y" p. g/ O
描述
! C2 q* D% @' B! mTF3622 使用先进的沟槽技术提供合适的 RDS(ON)、低栅极电荷和低至 2.5V 的栅极电压操作。 该设备适合用作电池保护或其他开关应用。
7 M0 D, w8 r+ nTF3622一般特点
$ x/ y: r m- V/ ~0 x) Q, T: o● VDS =30V,ID =25A
9 b$ a" g5 _; Q2 l% hRDS(ON) =12mΩ @ VGS=10V
0 w. r z. i/ q. ]6 LRDS(ON) =16mΩ @ VGS=4.5V1 ]- b* |, o7 W5 r! j
● 高功率和电流处理能力/ w4 O- d8 _) v
● 获得无铅产品
1 H; ]" [( X- N- b● 表面贴装封装
) x3 N3 j3 M' D
4 v4 w* T# i0 B) e6 m# t! I5 h
4 r# Y l& \) q应用6 O, t4 y" Y7 p& f
●电池开关+ o9 |/ W3 ]8 n) \
●DC/DC转换器9 @: S# z0 r% A' c
1 B! ]7 t; g5 q% o ?$ e1 Y* {: q# ^ a# U& E, W
TF3622原理图: w# z8 x2 o$ m6 L: A
: g$ g# f2 Z5 j, C2 Q
TF3622封装图" j. f: f# `* T! h j! ]% y! G
' J* X$ t& C" f" W- ?
TF3622绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）
; S4 x9 K* b6 G% a- f" ]% u; j
! e; G8 I- m0 ]+ M/ H7 R: a& t8 bTF3622 热特性
5 y0 h* v+ X# G; F- E / w# O# ]& G5 t
TF3622电气特性（TA=25℃，除非另有说明）
; s# I* C5 n1 \* H+ m* s, E! N* I
( z+ t4 X% O M- c+ u2 K
$ K; f% \) W. b' p9 u! b其他特性：
3 ?0 k6 X4 d( M h/ u: C' w5 c' c# y( \8 C
y- H' ~1 ?4 _! a* q5 z% L8 B5 g
1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制。
8 h' w. o, h* r! `1 T0 J. u( Z4 C; G) F" Q. j1 m
7 ]% Z2 q8 s! v5 X* d! P$ ^
2.表面安装在FR4板上，t≤ 10秒。 d1 a+ l/ X7 a. E8 V# Z
. m& `, A" j( C1 g, U7 I! k! Q3 @9 T$ S( P5 X+ Q8 L: C5 ~9 A. H
3.脉冲测试：脉冲宽度≤ 300μs，占空比≤ 2%.4 E/ |5 R# c) H: i2 [- `6 k7 {: `
) ~% m. d! t9 O2 \7 x& J* O( I, L
/ d" Y5 w7 ]3 j; W
4.设计保证，不以生产为准
5 d; }# O3 Q: L/ k
! _- z& F T9 U% z0 M7 O2 C$ |
0 A& ? }- S2 v6 c' w, Y |
|
发表于 2021-12-23 14:09:43