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发表于 2021-12-23
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N 通道增强型功率 MOSFET: Q. K( {& n6 d5 a1 \# P
' Y3 x* X4 H, s. c, V8 F; K* X. c# J6 g2 k$ W7 h8 L
描述
/ P2 _; N; k" c; h5 dTF3622 使用先进的沟槽技术提供合适的 RDS(ON)、低栅极电荷和低至 2.5V 的栅极电压操作。 该设备适合用作电池保护或其他开关应用。6 c* }- D, } c
TF3622一般特点
* T- v3 F9 y5 G2 m* U● VDS =30V,ID =25A* f* B; Y& b+ F6 r
RDS(ON) =12mΩ @ VGS=10V, @& @2 ^2 k o
RDS(ON) =16mΩ @ VGS=4.5V
! B/ K: V/ [+ U! C X4 F● 高功率和电流处理能力
" Q4 ~2 a# F6 W8 e& o/ K● 获得无铅产品% a3 v! y6 w" K2 t
● 表面贴装封装/ i& q0 r& L5 L$ S
4 b# J. @( `* k! p3 v! X# Q
) R4 L+ Y' I# Y) {1 M* z8 f) X
应用
' s/ x8 W2 h; r9 P●电池开关& L0 I4 X3 P1 b& Q
●DC/DC转换器# G' }4 \3 R( M. n
, }% a& }* W! |, V$ G4 n, T3 B
+ q+ k8 |: M# x: M- b& b0 }1 }
TF3622原理图
: y3 V9 r* U9 }$ A, s
. S6 k" G' Y# z8 B4 s9 n& aTF3622封装图
3 |9 Y# W; |. Y- V# D8 M. v
& l" j' x* s* a: m, r, G7 u
TF3622绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）4 n) i* m2 S! {9 J. g" J
! ?1 C8 C( t4 r# Q% |
TF3622 热特性
# X! ^- X8 i* f/ a! g ) Z. i+ \; q" C) U
TF3622电气特性（TA=25℃，除非另有说明）
@' K% M# T3 }$ O4 } ; n; _- N! P3 u5 g. h
1 D, ]- d5 _: i: _" C$ ?其他特性：$ k5 H# w- b; o: n9 p* i$ n+ K
7 c$ o4 o+ l5 R! \, J, V
: W2 b2 p1 P& q' o i1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制。5 ]* R' j: T. W, r0 I
' j* T6 _8 A0 Q4 ]4 C2 n4 h. P2 N+ O+ B
2.表面安装在FR4板上，t≤ 10秒。
5 f3 W2 }* w% q. b/ g, d5 S8 k# G4 a7 y
& K) K# V# Q: a0 [5 R$ w3.脉冲测试：脉冲宽度≤ 300μs，占空比≤ 2%.
& m4 I2 i. ^) R% @( {+ E9 H7 P. m" e) C4 N+ E5 y- J
& f0 G9 v$ \- w+ n, j7 _+ A( k4.设计保证，不以生产为准1 S2 E: ?7 s9 G3 H
5 A- L; a# r5 L
; O8 e0 Z& D; h |
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