N 通道增强型功率 MOSFET TF3622

QQ1659747718

N 通道增强型功率 MOSFET

/ Z5 u: ^6 h' t* a7 ?$ [7 j" a; ?. G8 }
; n% B9 R) S3 O: B" o  H; z% o描述
TF3622 使用先进的沟槽技术提供合适的 RDS(ON)、低栅极电荷和低至 2.5V 的栅极电压操作。 该设备适合用作电池保护或其他开关应用。
2 o2 c. f8 N0 ?$ ?TF3622一般特点
● VDS =30V,ID =25A
0 v7 \8 o/ ^+ }" N* l6 }0 RRDS(ON) =12mΩ @ VGS=10V
RDS(ON) =16mΩ @ VGS=4.5V
# q( u+ x& j8 f● 高功率和电流处理能力
0 X- L8 l8 ~5 \6 m1 e● 获得无铅产品
● 表面贴装封装


应用
2 }% |7 i* f( a# F●电池开关
2 A, s- L& A; ?/ {  Y# p●DC/DC转换器
* T4 P. `4 t5 `
' R5 k0 N. b/ U) d- T  n. I
TF3622原理图

6 G( `: @2 M$ o2 A1 T5 |TF3622封装图
/ h% k/ b( o$ x$ l0 B3 a
$ ]" a0 N9 l- r; H/ sTF3622绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）
; n# q# g5 i" G% R) |/ O
4 v: }. K1 V1 Y4 E6 T5 ^4 cTF3622  热特性
; j2 m- P% Q! y% F) {1 W
TF3622电气特性（TA=25℃，除非另有说明）
1 u4 n9 q) c5 v: S( c* C

2 m% ?' D. ?0 O其他特性：


1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制。
* _' x& e" I/ Y& I5 R9 L
0 y3 }  y5 B0 j1 h( L
6 f: a  j7 w7 _" t0 I) ]2.表面安装在FR4板上，t≤ 10秒。
$ _  A* b7 ^8 q. r5 a. `
8 n6 a# g! _4 W/ i
4 Y8 \9 _" Q/ |# k7 n3.脉冲测试：脉冲宽度≤ 300μs，占空比≤ 2%.
- I3 ?) v; ]2 V2 z  X

4.设计保证，不以生产为准

- |% N, C. x3 B$ F! p7 ^# T+ x