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7 e2 z7 i; \% i8 S! A6 b# k, Z* t2 s4 c/ p4 M9 p
, P% u: d' X/ H6 zSTGP19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V
! _8 l s( N- v, U% S3 k* b7 C$ E3 f
特点：低电压降（VcE（sat））低Cres/Cies比（无交叉传导磁化率），短路耐受时间为10 us，IGBT与超快自由旋转二极管合封。$ I8 m1 W- c- r
应用：高频逆变器，电机驱动器。
* g& A9 p; u( v4 [1 x+ O说明：该IGBT利用了先进的PowerMESHTM工艺，在切换性能和低状态行为之间实现了良好的权衡。& y; V! N- a, h
3 w( E* ]7 t b+ \) |" M' y3 Q
: Q* r$ z7 c: }# B! S* {7 U1 I5 vSTGP19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V，TO-220封装
- i2 H, u& m. i. H$ _/ g2 cSTGF19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V，TO-220FP封装
3 B4 x: t( J c- g% y/ hSTGB19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V，D2PAK封装
& x& W2 x2 _/ r% z6 M& L! X, I# Q9 ^* T$ I# g7 F& a: w
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发表于 2023-1-17 16:54:10