|
1 Mbit 多功能 SPI/8 位并行总线 SRAM,带视频显示控制器" D# s1 y% f+ ?. \, B& I0 L. i7 S
3 g# Z% i% Q# f Y! U
* }: F' o0 n5 z, x- b4 E
1 j3 a. Q" E0 D+ u4 _, K4 J( q8 @, l3 m k" t# n8 ^/ P
介绍3 `" ?- I, l' b
VLSI解决方案VS23S010是一款易于使用的大容量一兆位静态RAM器件。存储器可通过标准SPI兼容串行总线(1、2和4位模式)或通过类似于nand闪存器件的8080型8位并行总线访问。 VS23S010的主要应用之一是微控制器RAM扩展。日益普及的互联网流媒体应用将受益于VS23S010提供的大型缓冲存储器。 除了纯粹用作存储器存储设备外,VS23S010还包含一个视频显示控制器,可以从存储器阵列数据输出NTSC或PAL复合视频,以实现视频帧缓冲器。 VS23S010有两种型号:功能齐全的LQFP-48变体VS23S010D-L,以及仅内存功能的窄SOIC8 VS23S010D-S,省略视频和8位并行总线。 . A1 ]: A/ _. _" b/ `
特征
* e0 U# u7 l9 _ R- 灵活的 1.5V - 3.6V 工作电压
- 131,072 x 8 位 SRAM 组织
- 提供两种封装
* ?& f! a% P$ w9 q& c- VS23S010D-L: LQFP48 7x7毫米
- VS23S010D-S: 窄 SOIC8,150 密耳宽& Y3 C v3 M `( c
- 兼容串行外设接口 (SPI)+ O/ T* o7 H. m$ E+ a5 s) E3 c4 z. w
- 字节、分页和顺序模式
- 支持单路、双路和四路输入读写
- 快速操作:整个存储器可在262177周期内填充或读取(四通道I/O SPI)
- XHOLD 和 XWP 引脚
R- i/ k: Y& Z$ A
- 8 位并行接口(简化的 8080 和 NAND 闪存类型接口,仅限 VS23S010D-L)
5 f1 B" b; N) |9 U; v% Y1 n- 以 4 字节块进行顺序读写
- 快速运行,整个内存可在131077周期内填充或读取
% s" l* s% |2 Y$ r
- 集成视频显示控制器(仅限VS23S010C-L) o& ?8 ]$ z2 \& |0 _
- 支持 NTSC 和 PAL 复合视频格式; C( u" L/ H, u5 L* U2 W2 C3 T5 K
- NTSC需要3.58或28.64 MHz(8x彩色载波)晶体/时钟输入
- PAL需要4.43或35.47 MHz(8x彩色载波)晶体/时钟输入
- c+ c: N3 G& j# E
- 完全可由用户配置
- 9 位视频 DAC 和 8x 视频 PLL
7 }' Z y4 E! [+ u; D
- 高工作频率' f, _, z" k* [) ^
- 高达 38 MHz 的 SPI
- 高达 40 MHz 的 8 位并行接口(仅限 VS23S010D-L)
- 超过 35 MHz 的视频显示控制器. {8 i( l% d" }6 w5 u. P9 ] y
- 低功耗CMOS技术
: d* ?! y, d& s! N- 读取电流 340 μA(1 MHz 时)(单 I/O,SO=0,TA=+85°C,VDD=3.3V)0 _" X6 W7 g. g
- 工业温度范围为 -40°C 至 +85°C
- 无铅和符合 RoHS 标准的封装
4 x9 z9 T" ~- z 1 b8 O% s* m6 e: ?8 Q7 O
可用性* x1 }8 a" B2 G1 h$ p: Q0 S
VS23S010D-S和VS23D010D-L器件处于预生产阶段,数量适中。 7 @; A: a0 r& b( u5 d9 `' p
VLSI 解决方案-VS23S010 - 1 Mbit 通用 SPI/8 位并行总线 SRAM
& A m+ B3 ~) v# z7 j* W- I5 u/ n- o* R! `% l! F6 Q
|
|