|
1 Mbit 多功能 SPI/8 位并行总线 SRAM,带视频显示控制器
# m. O/ O8 O# f) }# w9 |" H. ^$ v2 H
; z' N+ d, h3 s, U. Q. h+ p1 {! h4 H% s3 G. c/ p7 H
2 V2 g/ O! m6 [9 o3 Y2 n& M# C7 C: b* A/ p
介绍* ^) I- z. C+ C) G- z1 e, u
VLSI解决方案VS23S010是一款易于使用的大容量一兆位静态RAM器件。存储器可通过标准SPI兼容串行总线(1、2和4位模式)或通过类似于nand闪存器件的8080型8位并行总线访问。 VS23S010的主要应用之一是微控制器RAM扩展。日益普及的互联网流媒体应用将受益于VS23S010提供的大型缓冲存储器。 除了纯粹用作存储器存储设备外,VS23S010还包含一个视频显示控制器,可以从存储器阵列数据输出NTSC或PAL复合视频,以实现视频帧缓冲器。 VS23S010有两种型号:功能齐全的LQFP-48变体VS23S010D-L,以及仅内存功能的窄SOIC8 VS23S010D-S,省略视频和8位并行总线。
9 j( }% O: N3 Z/ S `0 i' q, T特征$ Y4 k( z0 o3 b: `% w' E
- 灵活的 1.5V - 3.6V 工作电压
- 131,072 x 8 位 SRAM 组织
- 提供两种封装
. j+ M' d/ V- p6 i- VS23S010D-L: LQFP48 7x7毫米
- VS23S010D-S: 窄 SOIC8,150 密耳宽
# E) B; l( {0 e! _
- 兼容串行外设接口 (SPI)
' G% R" q. z/ Z4 a- 字节、分页和顺序模式
- 支持单路、双路和四路输入读写
- 快速操作:整个存储器可在262177周期内填充或读取(四通道I/O SPI)
- XHOLD 和 XWP 引脚" S4 j j6 @$ b
- 8 位并行接口(简化的 8080 和 NAND 闪存类型接口,仅限 VS23S010D-L)# \1 G& A) X& R5 j9 a
- 以 4 字节块进行顺序读写
- 快速运行,整个内存可在131077周期内填充或读取
B' a+ o. A- w. M# K
- 集成视频显示控制器(仅限VS23S010C-L)
$ j# M# s% L+ \ j- 支持 NTSC 和 PAL 复合视频格式
, J R( r! T: U" J" e4 D' r- NTSC需要3.58或28.64 MHz(8x彩色载波)晶体/时钟输入
- PAL需要4.43或35.47 MHz(8x彩色载波)晶体/时钟输入
& d$ T6 x( _ I2 K# P5 a7 z
- 完全可由用户配置
- 9 位视频 DAC 和 8x 视频 PLL
; Z0 a0 b( z! y( i6 D% n6 X+ M) o3 v( l
- 高工作频率
+ M% [* m! P& D# b: |- 高达 38 MHz 的 SPI
- 高达 40 MHz 的 8 位并行接口(仅限 VS23S010D-L)
- 超过 35 MHz 的视频显示控制器
3 L- V- E* D% C+ P/ @8 y! U
- 低功耗CMOS技术
' C: K( Z6 d1 F4 l. ?2 ] z5 U- 读取电流 340 μA(1 MHz 时)(单 I/O,SO=0,TA=+85°C,VDD=3.3V)
7 C1 l1 H( j# D m' h2 I
- 工业温度范围为 -40°C 至 +85°C
- 无铅和符合 RoHS 标准的封装6 D+ L) w' H x: ?) u
4 X& Y# _5 X5 T7 X3 {2 x9 }
可用性
6 H2 E. H+ V& Y- E3 P0 C- A/ Y1 aVS23S010D-S和VS23D010D-L器件处于预生产阶段,数量适中。
# V4 y, ~. I. t V( L: M1 A& O$ hVLSI 解决方案-VS23S010 - 1 Mbit 通用 SPI/8 位并行总线 SRAM
0 ?( e" q/ @6 Y
( r$ w5 p0 H: F% W6 }/ A |
|