抑制耳机放大器RF噪音的两种方法

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由于一直有朋友反映说耳放接电脑后会有底噪 让我一直困恼之中 今天找到了底噪的原因和消除底噪的办法跟大家分享
    有两种方法能够抑制耳机放大器RF噪音：通过屏蔽并缩短输入信号引线降低输入放大器的RF能量；选择具有RF抑制功能的放大器，使耦合到输出端的噪声最小。
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, d# T6 l& J" A" O& j　　很多现代音频放大器的设计没有考虑高频RF问题，而这些放大器却越来越多地暴露在强RF干扰环境中。对于没有解决RF干扰的音频放大器设计，会将RF载波信息解调到音频频带。
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　　一个非常突出的例子是GSM(全球移动通信系统)蜂窝电话系统。GSM标准采用时分多址(TDMA)方式实现多部手机与一个基站的同时通信。GSM手机以217Hz突发频率发送数据，从而产生一个受217Hz频率调制的强电场，恰好处于音频频带。虽然GSM手机工作在800MHz至1900MHz频率范围，但217Hz的包络是固定的。
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0 F* K# n4 K# R$ T8 O8 U　　GSM手机内的放大器必须能够抑制RF载波的217Hz包络频率，或完全屏蔽其电场。放大器与音频信号源之间的引线相当于天线。对于1/4波长与引线长度匹配的频率，天线效应最明显。对于900MHz信号，1/4波长为7.5cm；对于1900MHz信号，1/4波长为3.5cm。因此，长度接近于上述两种规格的引线对附近功率放大器的干扰信号最敏感，会接收到较强的干扰信号。
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　　将音频放大器集成到基带IC

; s/ Z+ ~9 J0 s6 t/ V　　一种改善耳机放大器RF敏感度的方法是将耳机放大器集成到基带处理器，可缩短音频源与放大器之间的引线长度。这种方案不仅降低了天线效应，而且提高了电路的集成度。由于在敏感频率处输入不再有天线效应，从而避免RF对音频信号的干扰。

　　虽然采用集成技术可降低系统的RF敏感度，但基带处理器通常采用的是低成本耳机放大器，会在一定程度上降低音质。此外，这些放大器采用单电源供电，其输出信号的偏压在VDD/2左右。在将这些信号接至耳机扬声器时需要隔直电容，而隔直电容会占据很大的PCB面积，降低系统的低频响应，同时还会导致音频信号的失真。

　　改善输入和电源布线
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7 s5 a9 S0 x" ^4 x/ A2 c　　为了避免集成耳机放大器带来的问题，必须选择专用的耳机放大器IC。即使选用了不是专门为抑制RF噪音而设计的耳机放大器，对电路板的仔细布局也可获得良好的音质和低RF敏感度。输入端的引线最有可能影响RF敏感度，这些引线应该布设在两个地层之间，以屏蔽外部RF电场。为了降低输入引线的天线效应，须尽可能缩短引线，使引线长度远小于敏感频率的1/4波长。
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　　放大器电源也是拾取RF噪音的一个途径，电路板设计通常采用旁路电容来降低电源噪音，但在RF频率处，这些电容的自感应降低了高频率波的效能。在音频范围内，1μF电容对地阻抗较低，具有较好的噪音抑制能力。当频率高于1MHz时，其自感产生的阻抗高于容抗，使阻抗增大。如果在1μF电容处并联一只10pF电容，在800MHZ至1900MHzGSM频率范围内，小电容会旁路掉1μF电容的自感。
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　　采用RF抑制放大器
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　　采用集成处理器/放大器或通过电路板布局能够在一定程度上克服RF敏感度，但更简单的方案是采用不易受RF电场干扰的耳机放大器。MAX9724便是针对抑制RF噪声而设计的放大器，可以解决RF敏感度问题，而不需特殊的电路板设计，可大大简化产品的开发过程，降低成本。
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: c' }- l7 a6 s4 k　　为了测试RF敏感度，将放大器(安装在没有针对低敏感度进行改进的PCB上)放置在隔离的RF腔内，该RF腔可以在没有其WB电场的环境中产生一个可控电场。射频腔内，RF信号在两块极板之间产生一个电场。进行RF敏感度测试时，在100MHz与3GHz之间以100MHz的间隔对PCB施加50V/m的电场。之所以选择50V/m的电场，是因为它可以模拟器在实际应用中可能遇到的场强。用1kHz的正弦波对RF载波进行100%振幅调制，产生放大器测试的最差工作条件。在放大器输出端测得的噪音是放大器解调后的1kHz包络幅度。

　　总之RF敏感度是手机音频放大器面临的关键问题。使用外部耳机放大器有两种方法能够抑制RF噪音：通过屏蔽并缩短输入信号引线降低输入放大器的RF能量；选择具有RF抑制功能的放大器，使耦合到输出端的噪声最小。

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