STGP19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V，TO-220封装

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( V7 l- ]5 N" j! }STGP19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V
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) f2 B, H  _/ b6 T! \( H特点：低电压降（VcE（sat））低Cres/Cies比（无交叉传导磁化率），短路耐受时间为10 us，IGBT与超快自由旋转二极管合封。
- |3 Z3 [7 ?# f应用：高频逆变器，电机驱动器。
: z% g0 x0 p; @. w4 u说明：该IGBT利用了先进的PowerMESHTM工艺，在切换性能和低状态行为之间实现了良好的权衡。
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STGP19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V，TO-220封装
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( u  Z9 I4 w0 x" tSTGB19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V，D2PAK封装
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