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[音频] VS23S010 1 Mbit 多功能 SPI/8 位并行总线 SRAM,带视频显示控制器

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发表于 2022-11-24 11:55:06 | 显示全部楼层 |阅读模式
1 Mbit 多功能 SPI/8 位并行总线 SRAM,带视频显示控制器
0 L5 e5 N0 j$ r: [9 L+ T6 I7 [8 W: a
  [, n% c0 `' {. s2 q2 v' B
& B+ u5 n% B2 L( D) r" l0 S1 o  n  ~' \: Q
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7 X1 i9 Z+ ]" ?* D; c
介绍
! t# m$ z. ~" t8 u

VLSI解决方案VS23S010是一款易于使用的大容量一兆位静态RAM器件。存储器可通过标准SPI兼容串行总线(1、2和4位模式)或通过类似于nand闪存器件的8080型8位并行总线访问。

VS23S010的主要应用之一是微控制器RAM扩展。日益普及的互联网流媒体应用将受益于VS23S010提供的大型缓冲存储器。

除了纯粹用作存储器存储设备外,VS23S010还包含一个视频显示控制器,可以从存储器阵列数据输出NTSC或PAL复合视频,以实现视频帧缓冲器。

VS23S010有两种型号:功能齐全的LQFP-48变体VS23S010D-L,以及仅内存功能的窄SOIC8 VS23S010D-S,省略视频和8位并行总线。


& P* p- |4 y4 K7 i9 J( r1 }* V$ U特征' U9 P+ P* C6 u( |
  • 灵活的 1.5V - 3.6V 工作电压
  • 131,072 x 8 位 SRAM 组织
  • 提供两种封装* R, X0 I) S; r9 f; B
    • VS23S010D-L: LQFP48 7x7毫米
    • VS23S010D-S: 窄 SOIC8,150 密耳宽7 ^1 r# R  K( [7 b% L) ?& K
  • 兼容串行外设接口 (SPI)
    9 M+ S& Z4 Z, e/ |) y/ z
    • 字节、分页和顺序模式
    • 支持单路、双路和四路输入读写
    • 快速操作:整个存储器可在262177周期内填充或读取(四通道I/O SPI)
    • XHOLD 和 XWP 引脚& T) r+ F- X3 k& J9 ]
  • 8 位并行接口(简化的 8080 和 NAND 闪存类型接口,仅限 VS23S010D-L); p) M: S( w/ X
    • 以 4 字节块进行顺序读写
    • 快速运行,整个内存可在131077周期内填充或读取8 i' \) t6 y7 }& g& Z
  • 集成视频显示控制器(仅限VS23S010C-L)
    ) C& x" J3 J# Q6 v0 j' g4 R
    • 支持 NTSC 和 PAL 复合视频格式
      + f+ G$ c7 l' Q; a: P; i. v
      • NTSC需要3.58或28.64 MHz(8x彩色载波)晶体/时钟输入
      • PAL需要4.43或35.47 MHz(8x彩色载波)晶体/时钟输入- @3 Y0 m- D7 V( ?" n
    • 完全可由用户配置
    • 9 位视频 DAC 和 8x 视频 PLL
      ; J6 d3 @* d6 s* {8 y; {4 V; C
  • 高工作频率4 B8 z4 ~# ]7 `, n
    • 高达 38 MHz 的 SPI
    • 高达 40 MHz 的 8 位并行接口(仅限 VS23S010D-L)
    • 超过 35 MHz 的视频显示控制器1 f# ~- W) {) x) @' u# W
  • 低功耗CMOS技术( _; c  \5 X+ Y6 a' t
    • 读取电流 340 μA(1 MHz 时)(单 I/O,SO=0,TA=+85°C,VDD=3.3V); u9 i& N8 Z6 T4 M6 m0 n& U
  • 工业温度范围为 -40°C 至 +85°C
  • 无铅和符合 RoHS 标准的封装
    $ l6 i% U  P9 a

2 `: e, S2 ^, r% O2 K9 t可用性$ C4 _/ G8 W, K/ t/ ~9 E6 X: w

VS23S010D-S和VS23D010D-L器件处于预生产阶段,数量适中。

1 M+ N9 v6 D$ |+ ~% i  r1 G

VLSI 解决方案-VS23S010 - 1 Mbit 通用 SPI/8 位并行总线 SRAM

/ L: O5 n; G4 o& t, d& Q: q; a
5 y4 B6 K, j  w( }; v: F
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