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) e3 u/ w; v1 p4 `3 t7 Q9 g特点：低电压降（VcE（sat））低Cres/Cies比（无交叉传导磁化率），短路耐受时间为10 us，IGBT与超快自由旋转二极管合封。
0 N9 v4 k: |- a0 w/ D# Y) p4 R应用：高频逆变器，电机驱动器。
- S" @) `# c, W" i. L说明：该IGBT利用了先进的PowerMESHTM工艺，在切换性能和低状态行为之间实现了良好的权衡。
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! Y2 ~" ~" i! K, r- `9 Z- `STGP19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V，TO-220封装( y9 P2 T C+ q8 f8 X1 }5 W
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发表于 2023-1-17 16:54:10