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[音频] VS23S010 1 Mbit 多功能 SPI/8 位并行总线 SRAM,带视频显示控制器

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发表于 2022-11-24 11:55:06 | 显示全部楼层 |阅读模式
1 Mbit 多功能 SPI/8 位并行总线 SRAM,带视频显示控制器
( m% T* {2 U( z+ z# H' S- J, i6 j7 x0 s9 N% j

6 w5 P3 t' @* A
8 y1 o3 S* D9 ?' \1 O( |/ ^% z1 q1 I
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介绍
6 G8 ~  `$ \3 ]% \* J6 j8 i

VLSI解决方案VS23S010是一款易于使用的大容量一兆位静态RAM器件。存储器可通过标准SPI兼容串行总线(1、2和4位模式)或通过类似于nand闪存器件的8080型8位并行总线访问。

VS23S010的主要应用之一是微控制器RAM扩展。日益普及的互联网流媒体应用将受益于VS23S010提供的大型缓冲存储器。

除了纯粹用作存储器存储设备外,VS23S010还包含一个视频显示控制器,可以从存储器阵列数据输出NTSC或PAL复合视频,以实现视频帧缓冲器。

VS23S010有两种型号:功能齐全的LQFP-48变体VS23S010D-L,以及仅内存功能的窄SOIC8 VS23S010D-S,省略视频和8位并行总线。


, D" ^9 q6 c9 V! Y/ d特征
( q# n" g% R2 n6 a) j
  • 灵活的 1.5V - 3.6V 工作电压
  • 131,072 x 8 位 SRAM 组织
  • 提供两种封装3 T& \; U& e- D6 f) d0 D+ H+ S
    • VS23S010D-L: LQFP48 7x7毫米
    • VS23S010D-S: 窄 SOIC8,150 密耳宽: P$ d. U8 \3 R2 A
  • 兼容串行外设接口 (SPI): h% e3 Q; \+ \: w0 \. N7 h5 }
    • 字节、分页和顺序模式
    • 支持单路、双路和四路输入读写
    • 快速操作:整个存储器可在262177周期内填充或读取(四通道I/O SPI)
    • XHOLD 和 XWP 引脚
      , L5 c+ g0 d8 l! }  g
  • 8 位并行接口(简化的 8080 和 NAND 闪存类型接口,仅限 VS23S010D-L)
    ( X/ L! T3 x3 p  \) [5 j
    • 以 4 字节块进行顺序读写
    • 快速运行,整个内存可在131077周期内填充或读取, d2 J8 N8 ~, z/ S  q
  • 集成视频显示控制器(仅限VS23S010C-L)
      a0 m+ P) U! Q% a* z, @3 c
    • 支持 NTSC 和 PAL 复合视频格式' q) U* S. n5 A. h1 e0 m: }: T* {
      • NTSC需要3.58或28.64 MHz(8x彩色载波)晶体/时钟输入
      • PAL需要4.43或35.47 MHz(8x彩色载波)晶体/时钟输入+ X% B- X4 t/ i
    • 完全可由用户配置
    • 9 位视频 DAC 和 8x 视频 PLL
      . s$ }7 {* B+ |9 G9 i& Q7 V- ~! m
  • 高工作频率8 V. N7 v1 H9 i5 H+ E* F
    • 高达 38 MHz 的 SPI
    • 高达 40 MHz 的 8 位并行接口(仅限 VS23S010D-L)
    • 超过 35 MHz 的视频显示控制器0 `+ w; H# d, g0 n
  • 低功耗CMOS技术; {& \& S& e4 @) {0 u+ g
    • 读取电流 340 μA(1 MHz 时)(单 I/O,SO=0,TA=+85°C,VDD=3.3V)
      / J8 t" b" e) a. ?& ?3 {6 U
  • 工业温度范围为 -40°C 至 +85°C
  • 无铅和符合 RoHS 标准的封装; T4 j2 o  D; c& }7 l% l1 h" `

$ `; s5 f% L, F可用性
+ ^7 j' j, r" z3 i

VS23S010D-S和VS23D010D-L器件处于预生产阶段,数量适中。

! l: h) N2 ^6 R. j$ v0 U/ B

VLSI 解决方案-VS23S010 - 1 Mbit 通用 SPI/8 位并行总线 SRAM


: i( u0 K; w2 P, T5 ~3 v; F- h: R/ I
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