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( H6 U: I4 m8 ~" \特点：低电压降（VcE（sat））低Cres/Cies比（无交叉传导磁化率），短路耐受时间为10 us，IGBT与超快自由旋转二极管合封。. }; {. j3 |& ^( n( Q
应用：高频逆变器，电机驱动器。
) o \$ |1 k! B1 P0 D说明：该IGBT利用了先进的PowerMESHTM工艺，在切换性能和低状态行为之间实现了良好的权衡。# D1 @& Y6 H) b; J4 G' ]
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STGP19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V，TO-220封装
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发表于 2023-1-17 16:54:10
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