CMOS集成电路性能特点及注意事项
目前数字集成电路按导电类型可分为双极型集成电路(主要为TTL)和单极型集成电路(CMOS、NMOS、PMOS等)。CMOS电路的单门静态功耗在毫微瓦(nw)数量级。
CMOS集成电路的简介
CMOS互补金属氧化物半导体,电压控制的一种放大器件。是组成CMOS数字集成电路的基本单元。
金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管,有P型MOS管和N型MOS管之分。由 MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为 CMOS-IC( Complementary MOS Integrated CIRcuit)。
CMOS集成电路的性能特点
微直流功耗 — CMOS电路的单门静态功耗在毫微瓦(nw)数量级。
高噪声容限 — CMOS电路的噪声容限一般在40%电源电压以上。
宽工作电压范围 — CMOS电路的电源电压一般为1.5~18伏。
高逻辑摆幅 — CMOS电路输出高、低电平的幅度达到全电压的“1”为VDD,逻辑“0”为VSS。
高输入阻抗 — CMOS电路的输入阻抗大于108Ω,一般可达1010Ω。
高扇出能力 — CMOS电路的扇出能力大于50。
低输入电容— CMOS电路的输入电容一般不大于5PF。
宽工作温度范围 — 陶瓷封装的CMOS电路工作温度范围为 -
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