5nm?3nm?芯片制程的极限究竟在哪里?
现在的集成电路制造技术其核心就是光刻技术,这种方法与照相类似,就是将掩模版上的图形转移到涂有光致抗蚀剂(或称光刻胶)的硅片上。在实际工艺中,一个芯片的产生要经历几十次光刻才能完成,有些结构层甚至需要多次光刻才能形成。
在这个发展阶段,所谓的物理极限其实就是光的波长限制,所以科学家们所做的工作主要是不断降低用于曝光的光线的波长。通过这种方法,不断提高光刻分辨率,分辨率高了,同样大小的硅晶圆上,可以生产更多的芯片。
· 2001年:芯片制程工艺是130nm,例如奔腾3处理器。
· 2004年:90nm的元年。
· 2012年:制程工艺发展到22nm,此时联电、联发科、格芯等很多厂家可以达到22nm的半导体制程工艺。
· 2015年:芯片制成发展的一个分水岭,进入14nm时,联电止步于此。
· 2017年:步入10nm时代,英特尔停在了10nm,i5和i7处理器由于良率问题而迟迟无法交货。
· 2018年:7nm来临,英特尔至今无法突破,而美国另一家芯片代工巨头“格芯”,也是在7纳米处倒下的。
· 2019年:6nm开始量产。
· 2020年:制程开始进入5nm时代,进入更难的5nm,只有三星和台积电生存下来了。
5nm芯片的现状
第一款出货的5nm
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