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[芯片] 40种常用的芯片封装技术

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发表于 2009-2-3 18:41:16 | 显示全部楼层 |阅读模式
1、BGA 封装 (ball grid array)
) l4 o9 O( x; F5 a; v2 |4 S7 ^球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以 代替引脚,在印 刷基板的正面装配 LSI 芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也 称为凸 点陈列载体(PAC)。引脚可超过200,是多引脚LSI 用的一种封装。 封装本体也可做得比 QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如,引脚中心距为1.5mm 的360引脚 BGA 仅为31mm 见方;而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚 QFP 为40mm 见方。而且 BGA不 用担 心 QFP 那样的引脚变形问题。 该封装是美国Motorola 公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在 美国有 可 能在个人计算机中普及。最初,BGA的引脚(凸点)中心距为 1.5mm,引脚数为225。现在 也有 一些 LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。 BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方 法。有的认为 ,由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理。 美国 Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为 OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为 GPAC(见 OMPAC 和 GPAC)。
7 T( M+ m0 t+ r: B8 H2、BQFP 封装 (quad flat packagewith bumper)! R' x! v' h5 v/ c  o
带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以 防止在运送过程 中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和 ASIC 等电路中采用 此封装。引脚中心距0.635mm, 引脚数从84 到196 左右(见 QFP)。
" ^/ }0 z, v) d/ ?3 Q【干货】一文了解40种常用的芯片封装技术
- [9 `0 p, d( Y. j3、碰焊 PGA 封装 (butt joint pin grid array)
; O/ B- Q. T, w  ~* r+ K& [表面贴装型 PGA 的别称(见表面贴装型 PGA)。
+ c# i  J# Z6 |. s+ |3 e+ g4、C-(ceramic) 封装6 f0 ]- ~: [/ r0 c- v) A8 s
表示陶瓷封装的记号。例如,CDIP 表示的是陶瓷 DIP。是在实际中经常使用的记号。
: ?; X0 S7 d) H/ S9 W5 v/ |/ [【干货】一文了解40种常用的芯片封装技术
2 b' Q" T# W* E5 ?/ [( {5、Cerdip 封装' @9 [! W1 @' I$ ]
用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于 ECL RAM,DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip
# V9 r1 M# F" h4 B用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有 EPROM 的微机电路等。引脚中 心 距2.54mm,引脚数从8 到42。在日本,此封装表示为 DIP-G(G 即玻璃密封的意思)。$ j$ k, }+ V) \0 P
【干货】一文了解40种常用的芯片封装技术
% |2 F3 E) j' z" p6 ~8 V  g6、Cerquad 封装
2 o9 s% L0 q1 M) N9 R, t: K表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷 QFP,用于封装 DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗 口的 Cerquad用 于封装EPROM 电路。散热性比塑料 QFP 好,在自然空冷条件下可容许1. 5~ 2W 的功率。但封装成本比塑料
) z& s( H5 S5 _5 ?; E, xQFP 高3~5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm等多种规格。引脚数从32 到368。
: c- O9 Q" Y/ N5 j6 \带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形。 带有窗口的用于 封装紫外线擦除型 EPROM 以及带有 EPROM 的微机电路等。此封装也称为 QFJ、QFJ-G(见 QFJ)。
% y/ d! Q, |5 |6 l【干货】一文了解40种常用的芯片封装技术
: g! Z9 u% [9 i7、CLCC 封装 (ceramic leadedchip carrier)
# I8 k7 e7 t, C带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型 EPROM 以及带有 EPROM 的微机电路等。此封装也称为 QFJ、QFJ-G(见 QFJ)。
" L) C5 ?) z; P  G! w* i! {+ r【干货】一文了解40种常用的芯片封装技术
6 f9 b$ x; r* K7 n, x- @+ o& w8、COB 封装 (chip on board)
8 o/ ^3 B! q+ E  B0 k; Y板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用树脂覆 盖以确保可*性。虽然 COB 是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如 TAB 和倒片 焊技术。8 d$ Q3 _( D, W! v& M* h
【干货】一文了解40种常用的芯片封装技术
8 G' u/ e6 r: {9、DFP(dual flat package)
1 |' ~; x( @+ @0 c2 ]7 Q* f% g双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见 SOP)。以前曾有此称法,现在已基本上不用。
3 b: j) Y9 V& @" Y【干货】一文了解40种常用的芯片封装技术
) A, o0 R6 D9 t+ }10、DIC(dual in-line ceramic package)
+ m# ?( Y; _; z* z/ e0 V& J) ?陶瓷 DIP(含玻璃密封)的别称(见 DIP).3 ~3 `  F! N9 J
【干货】一文了解40种常用的芯片封装技术
2 f- l0 |8 m4 E3 ~! \/ o11、DIL(dual in-line)
6 B% N9 U1 S6 @& G/ B1 I9 lDIP 的别称(见 DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。4 ^9 z3 z* r7 t7 v. j! x# A5 w* ^
【干货】一文了解40种常用的芯片封装技术
  x1 h1 Z0 _0 F, B9 n$ O12、DIP(dual in-line package) 双列直插式封装: A0 h% J3 O  H; ]7 k
插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种。 DIP 是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑 IC,存贮器 LSI,微机电路等。  L& q7 X- l$ a7 g
引脚中心距2.54mm,引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封 装分别称为 skinny DIP 和 slim DIP(窄体型 DIP)。但多数情况下并不加区分,只简单地统称为 DIP。另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷 DIP 也称为 cerdip(见cerdip)。
  O$ Q& p0 i! |" x【干货】一文了解40种常用的芯片封装技术
1 M5 {# x7 ~8 k5 f13、DSO(dual small out-lint)
0 ~) u' J  L9 g- Y$ [7 f# w! h) n; ?双侧引脚小外形封装。SOP的别称(见 SOP)。部分半导体厂家采用此名称。
; r' i3 m) n& s' t4 M# v【干货】一文了解40种常用的芯片封装技术
3 k% R: B+ O" [& J7 Q& A6 I14、DICP(dual tape carrier package)
) `3 [% P' w, t) K) O; T双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利用的是 TAB(自 动带载焊接)技术,封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动 LSI,但多数为定制品。另外,0.5mm 厚的存储器 LSI簿形封装正处于开发阶段。在日本,按照 EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定,将 DICP 命名为DTP。
( v# b2 o0 H! ~: G4 O, C; }* U【干货】一文了解40种常用的芯片封装技术: K) C/ h' z' w) j0 X
15、DIP(dual tape carrier package): b. B- Q* A5 X2 k- y' T
同上。日本电子机械工业会标准对 DTCP 的命名(见 DTCP)。& x3 T. W; t1 P4 W- G9 u! ]/ g
【干货】一文了解40种常用的芯片封装技术
% U" F% ]! H6 z& X$ p9 T1 R& [16、FP(flat package)
5 _6 M2 H. a3 q  {1 W7 b0 j扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP 或 SOP(见 QFP 和 SOP)的别称。部分半导体厂家采用此名称。; _8 W" ]  U* s. k" m; p) s) a4 m
【干货】一文了解40种常用的芯片封装技术
% @7 `$ m1 |: O$ {17、Flip-chip
# y5 x& x* J  @& u8 z& E, J倒焊芯片。裸芯片封装技术之一,在 LSI 芯片的电极区制作好金属凸点,然后把金属凸点与印刷基板上 的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。
0 ^8 a( w% v7 l. X7 d  o, x  A; g但如果基板的热膨胀系数与LSI 芯片不同,就会在接合处产生反应,从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固 LSI 芯片,并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。其中SiS 756北桥芯片采用最新的Flip-chip封装,全面支持AMD Athlon 64/FX中央处理器。支持PCI Express X16接口,提供显卡最高8GB/s双向传输带宽。支持最高HyperTransport Technology,最高2000MT/s MHz的传输带 宽。内建矽统科技独家AdvancedHyperStreaming Technology,MuTIOL 1G Technology。
0 Y/ n, B( o0 b7 G' w# Q【干货】一文了解40种常用的芯片封装技术; ]$ I" k! F8 H$ T$ M! y
18、FQFP(fine pitch quad flat package)
' f& ]  L2 W# ?9 J7 t1 U9 X! V, N小引脚中心距 QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm 的 QFP(见 QFP)。部分导导体厂家采用此名称。塑料四边引出扁平封装 PQFP(Plastic Quad Flat Package)PQFP 的封装形式最为普遍。其芯片引脚之间距离很小,引脚很细,很多大规模或超大集成电路都采用这种封装形式,引脚数量一般都在100个以上。Intel 系列 CPU 中80286、80386和某些486主板芯片采用这种封装形式。 此种封装形式的芯片必须采用 SMT 技术(表面安装设备)将芯片与电路板焊接起来。采用 SMT 技术安装的芯片 不必在电路板上打孔,一般在电路板表面上有设计好的相应引脚的焊点。将芯片各脚对准相应的焊点,即可实现与主板的焊接。用这种方法焊上去的芯片,如果不用专用工具是很难拆卸下来的。SMT 技术也被广泛的使用在芯 片焊接领域,此后很多高级的封装技术都需要使用 SMT 焊接。
4 F/ d7 i  T% j* L1 _以下是一颗 AMD 的 QFP 封装的286处理器芯片。0.5mm焊区中心距,208根 I/O 引脚,外形尺寸28×28mm, 芯片尺寸10×10mm,则芯片面积/封装面积=10×10/28×28=1:7.8,由此可见 QFP 比 DIP 的封装尺寸大大减小了。
2 c) N  N& t# q【干货】一文了解40种常用的芯片封装技术
- S" ~! B% _7 {; UPQFP 封装的主板声卡芯片; y4 r* u: {$ E2 H$ `2 _
19、CPAC(globetop pad array carrier)7 u9 F7 r9 t2 N( U" t4 l- C
美国 Motorola 公司对 BGA 的别称(见 BGA)。1 k! p: g9 _; @) B: k) P$ [1 t
【干货】一文了解40种常用的芯片封装技术3 j0 n7 N5 r7 `. f
20、CQFP 軍用晶片陶瓷平版封裝 (CeramicQuad Flat-pack Package)
# h: `: s5 l- t: t  l5 t右邊這顆晶片為一種軍用晶片封裝(CQFP),這是封裝還沒被放入晶體以前的樣子。這種封裝在軍用品以及航太工 業用晶片才有機會見到。晶片槽旁邊有厚厚的黃金隔層(有高起來,照片上不明顯)用來防止輻射及其他干擾。 外圍有螺絲孔可以將晶片牢牢固定在主機板上。而最有趣的就是四周的鍍金針腳,這種設計可以大大減少晶片封裝的厚度並提供極佳的散熱。
$ w2 M& s  y9 S9 _+ t【干货】一文了解40种常用的芯片封装技术
- P# t8 R9 s7 c; O" N21、H-(with heat sink)) X, H; [4 W& H9 B* t$ J
表示带散热器的标记。例如,HSOP 表示带散热器的 SOP。
8 A& I0 ^. v9 s' ?22、Pin Grid Array(Surface Mount Type)
3 U: r# G9 f, Q6 O! Y8 V表面贴装型 PGA。通常 PGA 为插装型封装,引脚长约3.4mm。表面贴装型 PGA 在封装的 底面有陈列状的引脚,其长度从1.5mm 到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法,因而也称 为碰焊 PGA。因为引脚中心距只有1.27mm,比插装型 PGA 小一半,所以封装本体可制作得不 怎么大,而引脚数比插装型多(250~528),是大规模逻辑 LSI用的封装。封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。7 Y: x! ~6 S' C5 p$ i+ x+ V$ X
【干货】一文了解40种常用的芯片封装技术/ E0 y% g' [& ]5 K# z: [
PGA 封装 威刚迷你 DDR333本内存
) O. ?, ~! W9 `, j) a6 S. D23、JLCC 封装(J-leaded chip carrier)
* ^( q" I& ^$ r; d" ~J 形引脚芯片载体。指带窗口 CLCC 和带窗口的陶瓷 QFJ 的别称(见 CLCC 和 QFJ)。部分半导体厂家 采用的名称。
) O, q. C+ x9 K24、LCC 封装(Leadless chip carrier)
6 j0 m! _" G  v& T6 h# S无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频 IC 用 封装,也称为陶瓷 QFN 或QFN-C(见 QFN)。
; _- [( ~. j7 S! \- Q: p25、LGA 封装(land grid array): S- ]  M. z9 {! ]( W
触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227 触 点(1.27mm 中心距)和447 触点(2.54mm 中心距)的陶瓷 LGA,应用于高速逻辑 LSI 电路。* J7 R3 E6 U! N. p
LGA 与 QFP 相比,能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外,由于引线的阻抗小,对于高速 LSI 是很适用的。但由于插座制作复杂,成本高,现在基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。8 m- E) a" C6 o$ L. ^0 k
【干货】一文了解40种常用的芯片封装技术5 \) k# X, q7 v0 X  Z
AMD 的2.66GHz 双核心的 Opteron F 的 Santa Rosa 平台 26、LOC 封装(lead onchip). e: C" k4 p/ \
26、芯片上引线封装, s) F2 h& z  V/ f3 q9 J6 {: D9 d
LSI 封装技术之一,引线框架的前端处于芯片上方的一种结构,芯片的中心附近制作 有凸焊点,用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比,在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。& v0 W/ k% p0 i* J" D
27、LQFP 封装(low profile quadflat package)6 F9 A! ?$ A3 B: Y
薄型 QFP。指封装本体厚度为1.4mm 的 QFP,是日本电子机械工业会根据制定的新 QFP外形规格所用的名称。
) e/ H  M8 ]$ W" O4 Z( v6 s5 D28、L-QUAD封装: V2 b) ]+ x( ]1 _9 |
陶瓷 QFP 之一。封装基板用氮化铝,基导热率比氧化铝高7~8 倍,具有较好的散热性。 封装的框架用氧化铝,芯片用灌封法密封,从而抑制了成本。是为逻辑 LSI 开发的一种封装,在自然空冷条件下可容许 W3的功率。现已开发出了208 引脚(0.5mm 中心距)和160 引脚(0.65mm 中心距)的 LSI 逻辑用封装,并于1993 年10月开始投入批量生产。
4 o6 ~* @* G  G# F, F) [29、MCM封装
4 ~; }2 n% \7 w* W2 S- W( I多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。7 q6 f( o, X1 l" F! ]2 A& e; C
根据基板材料可分为MCM-L,MCM-C 和MCM-D 三大类。
4 x$ a% S/ S: c3 F$ bMCM-L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高,成本较低。
' L' I+ v5 C) s% l7 e6 J4 ~MCM-C 是用厚膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件,与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM-L。
+ B, L' V+ s9 K! c3 DMCM-D 是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组件。布线密谋在三种组件中是最高的,但成本也高。0 w8 d1 x  y' X$ j
30、MFP 封装( mini flatpackage)9 y5 i2 {4 p, F4 k% i
小形扁平封装。塑料SOP 或 SSOP 的别称(见 SOP 和 SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。  @! L& H6 K& N
【干货】一文了解40种常用的芯片封装技术
% P8 V/ ~) @4 b. d31、MQFP 封装 (metric quad flatpackage)5 [6 ]) v8 i9 d1 m+ Q# w$ M9 i
按照 JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对 QFP 进行的一种分类。指引脚中心距为0.65mm、本体厚度 为3.8mm~2.0mm的标准 QFP(见 QFP)。
) E( J2 n( [9 t8 O  A32、MQUAD 封装 (metal quad)
8 w9 a8 c; r$ |美国 Olin 公司开发的一种 QFP 封装。基板与封盖均采用铝材,用粘合剂密封。在自然空冷条件下可 容许2.5W~2.8W 的功率。日本新光电气工业公司于1993 年获得特许开始生产。. w- @4 j! H' Y9 O& \+ z
33、MSP 封装 (mini squarepackage)+ y' v; w8 t+ C/ q4 }
QFI 的别称(见 QFI),在开发初期多称为 MSP。QFI是日本电子机械工业会规定的名称。& K+ Q, v/ T  t1 i+ N. E
34、OPMAC 封装 (over molded padarray carrier)! i7 _: ^9 d( L3 s: `" G1 l
模压树脂密封凸点陈列载体。美国 Motorola 公司对模压树脂密封 BGA 采用的名称(见 BGA)。
( g+ ]4 e- Y: {& ?) X5 }( o【干货】一文了解40种常用的芯片封装技术/ y+ T4 f3 u) ~, s0 u
35、P-(plastic) 封装. I) X  P- C  O% G3 R% L9 |
表示塑料封装的记号。如PDIP 表示塑料 DIP。0 y" V& L  j" a! \# s- I
【干货】一文了解40种常用的芯片封装技术! s6 U/ f' K" o' ^' M# T/ n
36、PAC 封装 (pad arraycarrier)0 i8 ]0 B/ _* f( j9 K$ ?# ~% _
凸点陈列载体,BGA 的别称(见 BGA)。( h- T+ U  u' i3 {4 X
【干货】一文了解40种常用的芯片封装技术& W4 C3 c/ @$ y- J/ U1 _5 f
37、PCLP(printed circuit board leadless package)' |. c7 f4 Z2 ^% \
印刷电路板无引线封装。日本富士通公司对塑料 QFN(塑料 LCC)采用的名称(见 QFN)。引脚中心距有0.55mm 和0.4mm两种规格。目前正处于开发阶段。
7 S! |3 W' f8 U2 h/ J, A% R【干货】一文了解40种常用的芯片封装技术
( z- P1 ^; i1 x; s38、PFPF(plastic flat package)
( P5 {0 A4 G! q; h1 v* E0 c# q  ?1 C塑料扁平封装。塑料QFP 的别称(见 QFP)。部分 LSI 厂家采用的名称。
$ r' y+ t9 Q( P: z39、PGA(pin grid array)! g6 E/ t  q& ^/ S" ~& G
陈列引脚封装。插装型封装之一,其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都采用多层陶瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下,多数为陶瓷 PGA,用于高速大规模逻辑LSI 电路。成本较高。引脚中心 距通常为2.54mm,引脚数从64 到447 左右。了为降低成本,封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有64~256 引脚的塑料 PGA。另外,还有一种引脚中心距为1.27mm 的短引脚表面贴装型 PGA(碰焊 PGA)。(见表面贴装型 PGA)。
; d3 e' u3 V! ^40、Piggy Back
) _9 q3 _5 }1 a9 u2 c驮载封装。指配有插座的陶瓷封装,形关与 DIP、QFP、QFN 相似。在开发带有微机的设备时用于评价程序确认操作。例如,将 EPROM 插入插座进行调试。这种封装基本上都是定制品,市场上不怎么流通。
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