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[电子] 4个常用的单片机防反接电路

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发表于 2008-1-23 15:18:01 | 显示全部楼层 |阅读模式
4个常用的单片机防反接电路( p: v7 M9 v5 \1 k
  B; \& N8 R" k: U
对于一些平常日用的产品,往往在进行设计时就会考虑“防反接”这个问题,客户只是简单的利用插头进行电源的连接,所以一般采用反插错接头(这是一种简单、低价而有效的方法)。+ q- O. b1 L, f% }* _
' ~* Q7 r6 x3 s8 x9 u6 Q8 h5 B

: Z" r( [# n" H' j/ A) S" ]' c' u; I; ]( A
但是,对于产品处于工厂生产阶段,可能就不便采用这种方法了。因为这可能会由于生产人员的疏忽而造成反接,从而带来损失。所以,给电路增加防反接电路,有时候还是非常必要的,尽管增加了成本。
& \9 r, t' X: b& t- M+ v1 G+ k5 |9 \" g* j9 h

1 |5 q  j& f+ x1 Z- d3 b) m; o2 _# F7 P/ [" y7 n) q1 j
下面,我们就来简单说说常用的防反接电路。
& i- _! ~# m  D' n
% a/ j1 }3 Q" C, t" m2 z
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1、最简单的在电路中串入一只二极管
( S- n6 [7 }: Q) {2 L( b3 j' o; ?- m% c; C, {4 ~( p% z1 o  O
" T2 P5 x% L% j; t& j% ~

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% g- C, ]. q" `  {! i# b5 _/ V9 K+ z( F) u/ ]  r( q; k' }

9 M+ \: m0 z9 h6 u' z
4 Q" d0 A3 A9 z; |7 B优点:电路简单,成本较低,适用于小电流,且对成本要求比较严的产品。  U5 m( k( p1 W. T+ e. u% w! G

& @, S! e  O2 X( J- b) y
$ x3 V6 y9 K1 P
' N  p; _# t+ h9 b, g# K缺点:由于二极管的PN结在导通时,存在一个压降,一般在0.7V以下。这个压降就导致这种电路不适合应用在电流较大的电路中,如果电路有10A的电流,那么二极管的功耗就是0.7*10=7W,发热量还是很可观的。在结构紧凑空间有限的产品中,对产品的稳定性或人的使用感受上影响还是比较大的。9 H. I+ _8 a* _, _* i7 b

0 i+ c9 C4 U6 s  X+ N
( c/ D5 X0 b& G6 P8 z8 ~& Z4 w2 b" z6 \% ~8 K! A
2、对于上面提到的二极管的压降问题,有没有办法克服呢?看下面的电路:
8 ?8 z2 V3 V! G5 E1 {+ m0 `" I
$ P! @; U+ c: q: J2 M) [7 @" |) g( D: ?( y  O/ L, Z; f5 F0 [
640 (6).png - i2 T( E3 y% Y3 N9 T$ q! p. R
( j) Q/ F* f$ P7 n+ J

5 J8 g% ?" d! n! p* l# D$ V
2 d, O9 U# Z. A0 d3 L上面的防反接电路采用了一个保险丝和一个反向并联的二极管,电源极性正确,电路正常工作时,由于负载的存在电流较小,二极管处于反向阻断状态,保险丝不会被熔断。5 b7 [1 Z6 L8 g8 l: D

, }* O" u8 v& w- r# f
* {" P1 Z. p" f! @9 r* Q9 E
1 k$ y3 w( Z8 K! ^3 h6 l当电源接反时,二极管导通,此时的电流比较大,就会将保险丝熔断,从而切断电源的供给,起到保护负载的作用。
" H+ B+ y5 Y- R+ Q& a! N
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" ]! q; J' w. K/ a- o/ F* w) \1 A
优点:保险丝的压降很小,不存在发热问题,且成本不高。
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" M. S5 x: `7 ?: Z: F0 M: X
: {6 h$ U: d7 S! {+ v9 u/ u) }1 n& d! f2 g% Z( M! n
缺点:一旦接反需要更换保险丝,操作比较麻烦。# \8 G; s# w7 g# p* {
0 a" b- b1 f3 o& G0 l2 \
: X+ X2 w6 r9 o+ _) x: |- U1 K( ~

4 [9 R/ {; C/ Y2 h. _3、正接反接都可正常工作的电路$ i$ u4 Y* I$ x7 z: e3 Y/ B* Z& \
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2 o2 u" t4 W. B1 `" \
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7 c; ^5 D/ z2 t2 |
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优点:输入端无论怎样接,电路都可以正常工作。
2 F  x" t$ C: Y) E: ^. z
3 R# `* `* C0 c1 c: I( i' K  l# R! a; j8 {/ V! |

) X$ u9 W7 r. t1 a+ Z- [缺点:存在两个二极管的压降,适用于小电流电路。
. A$ Q9 ]# D0 r# a/ h. o3 m  m6 ^& A; [3 j4 Y/ R& M! u, o

* F/ q( ?7 C* v6 g/ |! g7 n* `* X% z
4、N沟道增强型场效应管防反接电路
1 s; h% Q4 W3 \9 V% ]4 l
0 ~2 B" P9 Q2 s5 T" W& S2 ~6 }8 J4 ]8 G  A. ^/ k8 w+ G

9 M& s  W5 J1 a* n5 L9 ^由场效应管制作工艺决定了,场效应管的导通电阻比较小,是现在很常用的开关器件,特别是在大功率的场合。
/ M# L$ f0 I% e! b& T6 u5 z/ r8 e
6 x/ P# G9 s% K0 i3 l3 z4 `/ q
5 `/ ?3 i# ]8 s
7 e4 j7 z# G* A) b, |$ ^2 [以TO-252封装的IRFR1205为例,其主要参数如下:
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9 y. l' F0 n) {' ^, b: _* ~. i- \0 T/ B% X) O( N# O* z
1 `' }0 t1 L1 a: m5 ~
Vdss=55V3 o& S+ {0 U1 E$ e
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Id=44A+ K$ H& u; {$ a5 \( J; J
" v! p8 m: X' p, I2 q1 n+ u, ^# Y
Rds=0.027Ω- f8 y& Z! v- l# I

* _% M  z0 d" [: X" c& e  w5 i$ O8 s3 q% E
4 [" S3 d& t$ X2 |' b2 K
我们可以看到,其导通电阻只有27mΩ。/ y: e" y0 U1 m& [, _8 ~: t

1 T% c/ S0 x  I
: r7 Y9 d$ `& o/ ^2 r- h/ n+ Y3 \! B2 }4 E- z$ N5 F  D8 z  t: h8 P2 w
如下图所示,这是一个用N沟道场效应管构成的防反接电路:
6 S5 K) f5 @7 e+ b: D
& F) Y; s* K6 Q5 S4 c" E7 X8 A! _1 Q; }
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6 G+ f2 Z: T! S9 i9 M
1 Q4 i9 S# V5 ?) W9 e8 U* t1 G3 |2 }: W3 g  m3 [

1 M3 t6 |0 n% A# O这个电路的最大一个特点,就是场效应管的D极和S极的接法。通常我们在使用N沟道的增强型的MOS管时,一般是电流由D极进入而从S极流出。应用在这个电路中时,则正好相反。
+ S: R+ h+ Q9 ]2 Q, g! ~- q  n* X( Y* i% k' h( F" d  e

% z/ E3 Y" j+ ~' g" W  B) ^( |7 \
$ o2 Z) n, e9 Q9 G. i5 z曾经在一个论坛中看到过这个电路,发布这个电路的楼主被众多网友痛批,说是DS之间存在一个二极管根本没法实现。楼主没有注明场效应管的管脚名称,由于存在一个应用场效应管的惯性思维,导致楼主蒙冤。
5 S. V5 Q. L* A) \; W4 Y
" C2 U) m/ |3 M' |  K+ H( F7 g
  S. s1 a' K+ _" N/ p5 ^, S7 p$ I2 m
其实,场效应管只要在G和S极之间建立一个合适的电压就会完全导通。导通之后D和S之间就像是一个开关闭合了,电流是从D到S或S到D都一样的电阻。
  T) g/ u: @1 u* B4 g2 `* R( U( k4 i0 |& u( c, ?8 U. y$ a1 Q

6 D! ?. _  C7 G) l9 f& R4 `* e  U1 g& F- @
在电源极性正确时,电流起始时通过场效应管的稳压管导通,S极电压接近0V。* h! A- s, F  l$ D

. h: J0 C2 T3 g$ G" O6 n) ]) J
$ _+ s: e6 K; }4 ]2 W8 }& k; K/ i7 j
两个电阻分压后,为G提供电压,使场效应管导通,因为其导通阻值很小,就把场效应管内部的二极管给替代了。6 N/ `; q7 s% ^$ x
) a9 c7 f' a; p) I7 c# t' o+ n. M. E- I
" `. K4 `5 [. Y  `# @
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电源反接时,场效应管内的二极管未到击穿电压不导通。分压电阻无电流流过无法提供G极电压,也不导通,从而起到保护作用。
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5 D# r. M8 Y9 Y- M" ~' y# e( Q
1 D4 t, J; b4 o; C
3 q0 L" v& [; }对于电路中并联在分压电阻上的稳压二极管,因为场效应管的输入电阻是很高的,是一个压控型器件,G极电压要控制在20V内,过高的电压脉冲会导致G极的击穿,这个稳压二极管就是起一个保护场效应管防止击穿的作用。5 v/ o: x* ^, h4 i# U9 b1 `

5 l3 }8 Y9 O  A4 _" b  Q8 \, w; H4 F+ Y( |0 S  s2 o
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对于并联在分压电阻上的电容,有一个软启动的作用。在电流开始流过的瞬间,电容充电,G极的电压是逐步建立起来的。& L6 S( r' ]1 X- D5 p* \- [
5 A; @9 L( w! |9 ~
: I4 U" n& n+ D5 x

2 X) Z- u0 ^% [+ X8 k' ?对于并联在场效应管D与S之间的阻容串联电路,我感觉还是值得商榷的。阻容串联电路一般用作脉冲吸收或延时。用在这里要视负载的情况而定,加了或许反而不好。毕竟,这会导致在电源在反接的时候会有一个短暂的导通脉冲。5 G4 b7 J9 ?* h7 @. P
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4 |: r) K+ F* F
7 n% `! E* h8 v1 m% S. b# N
当然,也可以用P沟道的场效应管,只是要将器件串在正极的输入端,这里不再描述。
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" X* {2 B3 F+ i% D, e* C
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发表于 2008-1-24 23:08:44 | 显示全部楼层
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