第二次世界大战后的1945年,Shockley开始试验改良的半导体材料,这些材料是为战争中使用的雷达探测器开发的。他研究了一种场效应放大器,该放大器类似于奥匈帝国物理学家Julius E. Lilienfeld于1926年以及德国物理学家Oskar Heil博士于1934年申请的专利。但是,当物理学家John Bardeen提出存在于半导体表面的电子可能阻碍电场向材料中的渗透时,这一突破就来了。在William Shockley的支持和另一位物理学家Walter Brattain帮助下,John Bardeen开始研究这些“表面状态”的行为。 到1947年11月下旬,Bardeen和Brattain设法制造出一种可工作的晶体管,直到1947年12月16日,他们一直在不断改进这种晶体管。在这一天,他们的研究最终达到了用硅制成的工作“点接触”晶体管的顶峰。坐在锗晶体上的两个金箔触点。它也被称为“ PNP点接触锗晶体管”。他们于12月23日进行了巡回演示,向贝尔实验室展示了该固态设备的工作原理。Bardeen和Brattain还花了一些时间为其发明申请专利,并批准将其公开发布给军队。1948年6月,贝尔实验室正式宣布了革命性的固态设备,他们称之为“晶体管”。
然而,Shockley继续构建由Bardeen和Brattain创建的第一个工作晶体管的更可靠和可复制的版本。他很成功,并于1952年推出了他的双极结型晶体管。它是由没有触点的固态半导体材料制成的。本发明优于点接触型,并在接下来的30年中主导了整个行业。他申请了晶体管效应和晶体管放大器的专利。1956年,贝尔实验室的所有三位物理学家,William Shockley, Walter Brattain 和 John Bardeen 因其贡献而被授予诺贝尔物理学奖。